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第一章 半导体中的电子状态 1

§1．能带的形成 1

§2．电子在外力下的运动和有效质量 11

§3．导带、满带和空穴 17

§4．杂质和缺陷能级 29

第一章参考文献 31

第二章 电子和空穴的统计分布 33

§5．费米能级和电子的统计分布 33

§6．本征激发和杂质电离 43

§7．普遍情况下统计分布的分析 53

§8．载流子的简并化 59

§9．化学势和质量作用定律 67

第二章参考文献 78

第三章 电磁场中的迁移现象 79

§10．载流子的散射 79

§11．电导的简单分析 89

§12．霍耳效应的简单分析 93

§13．简单分析的局限性和结果的修正 101

§14．电导率的统计理论 105

§15．迁移率 116

§16．一种载流子霍耳效应的统计理论 121

§17．两种载流子的霍耳系数 125

§18．半导体的磁阻 129

§19．实验结果与半导体某些物理量的测定 135

§20．低温的霍耳效应和电导 146

第三章参考文献 148

第四章 半导体的热导率、温差电现象和热磁效应 151

§21．热传导 151

§22．温差电现象的一般描述和热力学关系 163

§23．半导体的温差电动势率 167

§24．电能与热能的转换，温差电发电机，致冷器与发热器 179

§25．热磁效应 186

第四章参考文献 194

第五章 非平衡载流子 196

§26．少数载流子的注入和检验 196

§27．寿命和测量方法 198

§28．非平衡载流子的扩散 200

§29．光扩散电势差和光磁效应 204

§30．表面对寿命的影响 211

§31．非平衡载流子的漂移和扩散 219

§32．复合过程的性质和直接复合的理论 224

§33．复合中心理论 230

§34．陷阱效应 238

第五章参考文献 246

第六章 半导体表面 248

§35．外电场(或附着电荷)和表面势 248

§36．功函数和接触电势 257

§37．表面电导和场效应 262

§38．表面能级 266

§39．表面结构和表面过程的弛豫现象 275

第六章参考文献 277

第七章 半导体和金属的接触 279

§40．接触势垒 280

§41．扩散理论和伏-安特性曲线 287

§42．两极管理论 294

§43．理论的检验和修正 296

§44．阻挡层中非平衡载流子效应 305

第七章参考文献 311

§45．P-n结的势垒和伏-安特性 313

第八章 P-n结 313

§46．P-n结的电容 321

§47．电击穿现象 327

第八章参考文献 334

第九章 半导体中光的吸收 335

§48．本征吸收 335

§49．其它的吸收过程 340

§50．晶格振动对电子跃迁的影响 353

第九章参考文献 359

§51．半导体的光电导 362

第十章 光电导 362

§52．直线性和抛物线性光电导 364

§53．复合和陷阱作用 369

§54．本征光电导的光谱分布 378

§55．杂质光电导 384

第十章参考文献 387

附录Ⅰ 389

附录Ⅱ 390

附录Ⅲ 390

附录Ⅳ 399

附录Ⅴ 400