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导言 8

第一章 晶体特性 13

1-1 概述 13

1-2 在fs与fp之间频率范围内的晶体特性 19

1-3 R1与Rr的关系 26

1-4 并联一个电容的晶体工作方式 26

1-5 串联一个加载电容的晶体工作方式 28

1-6 晶体型号 30

1-7 晶体参数测量 43

1-8 晶体终端负载对其谐振特性的影响 45

1-9 串联谐振晶体的功耗 47

1-10 晶体π型网络 50

1-11 晶体π型网络的分析 51

1-12 晶体负载R的影响 53

1-13 输出负载Zi的影响 54

1-14 Ci的影响 54

1-15 Ri的影响 54

1-16 晶体功耗 56

第二章 晶体在振荡器设计中的应用 61

2-1 概述 61

2-2 普通振荡器的方块图 61

2-3 振荡器增益关系式 62

第三章 放大器特性 64

3-1 概述 66

3-2 晶体管放大器 67

3-3 频率低于100KC的晶体管放大器 68

3-4 功率增益，输入电阻与输出电阻 69

3-5 从共基极“R”参数变换成共发射极“?”参数 69

3-6 典型的晶体管放大器工作特性 70

3-7 Gp,Rin,R0公式的简化 70

3-8 高频晶体管特性 71

3-9 晶体管等效电路 74

3-10 晶体管放大器性能的实验数据 79

3-11 电压增益测量 80

3-12 频率低于fv的电压增益特性 83

3-13 电压增益截止频率fv 89

3-14 频率高于fv的电压增益 93

3-15 共发射极放大器输入阻抗 94

3-16 并联输入电阻 94

3-17 并联输入电容 99

3-18 放大器相移 100

3-19 共基极放大器阻抗 102

3-20 具有非旁路电阻的共发射极晶体管放大器的等效电路 106

3-21 从混合π型变换成π型（导纳）等效晶体管电路 111

3-22 由晶体管偏置网络形成的共发射极放大器的输入电阻 114

第四章 阻抗变换网络 119

4-1 概述 119

4-2 π型网络 120

4-3 π型网络设计 123

4-4 电容分压器网络 126

4-5 电感变换器 128

4-6 自耦变换器 133

4-7 文氏电桥网络 136

第五章 普通振荡器总论 138

5-1 振荡器频率公差 138

5-2 振荡器电路图及元件频率响应特性 142

5-3 初步设计知识 144

5-4 振荡器设计步骤 145

第六章 串联谐振振荡器设计 147

6-1 概述 147

6-2 800KC到30MC串联谐振晶体特性 148

6-3 800KC到30MC晶体管串联谐振振荡器 150

6-4 环路电压增益的确定 151

6-5 晶体负载 152

6-6 环路增益与RL的关系 152

6-7 晶体功耗 155

6-8 晶体功耗与振荡器输出功率的关系 158

6-9 800KC到30MC串联谐振振荡器的设计步骤 160

6-10 设计举例 164

6-11 〔例一〕：1MC串联谐振振荡器 164

6-12 〔例二〕：5MC串联谐振振荡器 168

6-13 〔例三〕：20MC串联谐振振荡器 172

6-14 频率高于30MC的串联谐振振荡器 174

6-15 晶体特性 175

6-16 放大器特性 178

6-17 在晶体输入端与放大器输入端之间反馈信号的衰减 179

6-18 环路电压增益关系式 180

6-19 晶体功耗 181

6-20 晶体端接电阻 182

6-21 振荡器相位关系式 183

6-22 放大器稳定性 184

6-23 30MC到200MC串联谐振振荡器设计步骤 184

6-24 设计举例 190

6-25 〔例一〕193MC振荡器 190

6-26 〔例二〕150MC振荡器 192

6-27 〔例三〕120MC振荡器 195

6-28 〔例四〕75MC振荡器 199

6-29 90KC到500KC串联谐振振荡器 203

6-30 晶体特性 203

6-31 放大器特性 205

6-32 环路电压增益方程 205

6-33 晶体功耗 208

6-34 晶体功耗和振荡器输出功率的关系 208

6-35 90KC到500KC串联谐振振荡器的设计步骤 210

6-36 值得注意的问题 210

6-37 1KC到100KC串联谐振振荡器设计 212

6-38 晶体特性 213

6-39 晶体功耗 214

6-40 放大器特性 214

6-41 振荡器环路增益关系式 215

6-42 设计举例 217

6-43 〔例一〕3KC晶体管振荡器 218

6-44 〔例二〕20KC晶体管振荡器 222

6-45 〔例三〕1KC两级晶体管振荡器 227

6-46 〔例四〕3KC两级晶体管振荡器 230

第七章 并联谐振振荡器设计 233

7-1 并联谐振振荡器电路 233

7-2 0.8～20MC并联谐振晶体 235

7-3 CL与f′a的关系 238

7-4 Xe与Re max的关系 240

7-5 0.8～20MC频率范围的基本皮尔斯振荡器 241

7-6 设计方法 242

7-7 将晶体管内反馈元件Rr和Cr并入晶体π型网络 244

7-8 Cr的影响 245

7-9 Rr的影响 247

7-10 环路电压增益的计算 249

7-11 Rπ和RT是Re/Re max和XLeff/Re max的函数 252

7-12 输出电压极限 255

7-13 基本皮尔斯振荡器电路的晶体管集电极电流要求 257

7-14 基本皮尔斯振荡器的功耗输出限制 259

7-15 基本皮尔斯振荡器的设计步骤 261

7-16 设计举例 268

7-17 〔例一〕0.8MC基本皮尔斯振荡器 269

7-18 〔例二〕5MC基本皮尔斯振荡器 272

7-19 〔例三〕20MC基本皮尔斯振荡器 275

7-20 0.8至20MC的隔离电阻皮尔斯振荡器 277

7-21 环路增益 278

7-22 隔离电阻皮尔斯振荡器设计步骤 280

7-23 设计举例 288

7-24 〔例一〕 0.8MC隔离电阻皮尔斯振荡器 288

7-25 〔例二〕5MC隔离电阻皮尔斯振荡器 291

7-26 〔例三〕20MC隔离电阻皮尔斯振荡器 293

7-27 〔例四〕5MC隔离电阻皮尔斯振荡器（2N 706A） 296

7-28 〔例五〕20MC隔离电阻皮尔斯振荡器（2N 706A） 299

7-29 4KC至500KC并联谐振振荡器设计要点 301

参考文献〔Ⅰ〕 304

第八章 高稳定度晶体振荡器设计——一种温度补偿的新方法 310

8-1 引言 310

8-2 经典的温度补偿晶体振荡器的调谐法 310

8-3 非线性温度补偿晶体振荡器调谐法 313

8-4 三点热敏电阻网络 316

8-5 两段网络补偿 320

8-6 窄温度范围补偿 323

8-7 结论 324

附录A：形状参数的计算机选择 324

附录B：网络电阻值的计算 326

参考文献〔Ⅱ〕 329