半导体物理 下pdf电子书版本下载

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目录 289

第七章 半导体界面物理 289

§37 半导体表面的特性 289

§38 半导体表面（清洁表面和实际表面） 289

§39 p-n结 294

39.1 p-n结的能带图 294

39.2 p-n结的过渡区和势垒电容 298

39.3 p-n结的扩散电流和整流特性 303

39.4 p-n结的过剩电流 307

39.5 p-n结的强电场现象 312

§40 异质结 320

40.1 异质结及其界面 320

40.2 异质结的阻挡层 325

40.3 异质结阻挡层的特性 328

§41 金属-半导体界面 329

41.1 金属表面和肖特基效应 329

41.2 肖特基势垒 333

41.3 肖特基势垒的整流特性 337

41.4 金属和半导体的欧姆接触 339

§42 半导体-电介质界面 340

§43 晶粒间界 345

习题 348

第八章 半导体电子器件物理 351

§44 肖特基势垒二极管（SBD） 351

§45 齐纳二极管和江崎二极管 355

§46 双极型晶体管 360

46.1 晶体管作用 360

46.2 结型晶体管的原理和静态特性 361

46.3 工作特性和α＊，β，γ 365

46.4 α截止频率和优值 368

46.5　漂移晶体管 372

§47　闸流晶体管 374

47.1　闸流晶体管及其种类 374

47.2　可控硅的工作原理和电压-电流特性 376

§48　单极晶体管 380

48.1　场效应晶体管原理 380

48.2　结栅型场效应晶体管 381

48.3　绝缘栅型场效应晶体管 383

§49＊　电荷转移器件 389

49.1　CCD 390

49.2　BBD 396

§50 MOS存贮器件 397

50.1 半导体不挥发性存贮器 397

50.2 MNOS存贮器件 398

§ 51 渡越时间器件 402

§52 转移电子器件 408

52.1 谷间转移和负微分迁移率 408

52.2 高场畴和电流振荡 410

52.3 微波振荡器件 413

52.4 功能逻辑器件 415

§53 表面声波器件 416

习题 419

第九章　光电子器件物理 422

§54　光电探测器 422

54.1　光敏电阻 422

54.2　光电二极管 427

54.3　高速光电二极管 432

54.4　太阳电池 434

55.1　注入型电致发光 440

§55　半导体发光器件 440

55.2　发光二极管（LED） 444

55.3　半导体激光器 447

55.4　本征发光和本征发光器件 456

§56＊　布里渊散射和光偏向器件 460

第十章＊　无定形半导体的物理性质 464

§57　无定形半导体的特征 464

§58　无定形半导体的基本性质 466

§59　无定形半导体的状态密度 469

60.1　迁移率隙和能带传导迁移率 471

§60　无定形半导体的电学性质 471

60.2　经过定域态能级的载流子迁移 473

60.3　强电场现象 479

§61　无定形半导体的光学性质 483

§62　可逆相变 486

§63 内部积蓄能量及性质的变化 489

参考文献 494

参考书 495

习题解答和提示 496

主要半导体的电子物理常数 498