场效应和双极型功率晶体管物理pdf电子书版本下载

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第—章 半导体表面理论概念 1

1.1 平带电压 1

1.2 平衡时的表面势 5

1.3 强反型时的表面电荷 8

1.4 强反型时的阈值电压 9

1.5 非平衡条件下的阈值电压 12

1.6 非平衡强反型条件下的沟道电荷 14

1.7 MOS电容 14

1.8 硅表面电荷和表面态 17

1.9 辐照效应 21

1.10 硅氧化表面处的杂质再分布 22

1.11 表面迁移率 23

参考文献 25

第二章 高载流子浓度下的半导体性质 27

2.1 双极迁移率和扩散系数 27

2.2 载流子-载流苯散射 28

2.3 迁移率与杂质浓度的关系 30

2.4 高注入时的载流子寿命 31

2.5 载流子浓度使硅禁带宽度变窄的效应 33

2.6 高掺杂时的本征载流子浓度 37

参考文献 39

第三章 雪崩击穿 41

3.1 雪崩击穿电压的计算 41

3.2 pin二极管的雪崩击穿 43

3.3 平板型(一维)结的击穿 44

3.4 平面型结的击穿 48

3.5 雪崩击穿电压的温度关系 52

参考文献 53

第四章 雪崩击穿的改进方法 54

4.1 场板 54

4.2 扩散保护环 61

4.3 等位环和沟道终止环 62

4.4 电阻性场板 62

4.5 场限制环 67

4.6 结的斜削 70

4.7 耗尽区腐蚀法 80

4.8 衬底腐蚀终端法与正斜削法的比较 85

4.9 用离子注入控制耗尽区电荷 87

参考文献 88

5.1 中子嬗变掺杂(NTD) 90

第五章 选择的制造技术 90

5.2 离子注入 92

5.3 干式刻蚀 95

5.4 少数载流子寿命的控制 98

5.5 表面稳定性和器件钝化 102

参考文献 106

第六章 功率晶体管结构和双极型晶体管模型 108

6.1 功率晶体管结构 108

6.2 双极型晶体管模型 113

参考文献 130

第七章 高载流子浓度时的电流增益 131

7.1 发射极效率和发射区浓度之间的关系 131

7.2 大电流基区展宽 141

7.3 发射极电流集中 149

7.4 大电流时电流增益的下降 157

7.5 电流增益的温度关系 160

7.6 增益改进的方法 162

参考文献 172

第八章 功率晶体管的电流-电压特性 174

8.1 饱和区 174

8.2 准饱和区 175

8.3 集电极-发射极击穿电压 179

参考文献 182

第九章 频率响应、开关瞬变、微波晶体管 183

9.1 双极型功率晶体管的频率响应 183

9.2 双极型功率晶体管的开关瞬变 185

9.3 双极型微波晶体管 190

参考文献 193

第十章 晶体管热特性和不稳定性 194

10.1 结温 194

10.2 晶体管的等效热路 196

10.3 热击穿 197

10.4 最小熵产生原理、电流线的形成、热点 199

10.5 二次击穿 204

10.6 安全工作区(SOA) 218

10.7 稳定的热点 222

参考文献 223

第十—章 结型场效应晶体管(JFET) 225

11.1 结型场效应晶体管的电流-电压特性 227

11.2 结型场效应晶体管的增量电路模型 234

11.3 附加的栅极泄漏电流和漏极击穿 236

11.4 结型场效应晶体管的输出功率 238

11.5 具有类三极管(非饱和)特性的结型场效应晶体管 238

11.6 结型场效应晶体管的结构 243

参考文献 250

第十二章 绝缘栅场效应晶体管 252

12.1 MOS晶体管静态特性 255

12.2 沟道中的二维电流流动 261

12.3 短沟MOS晶体管的阈值电压 262

12.4 对阈值电压的背面偏置效应 264

12.5 MOS晶体管阈值的控制 264

12.6 MOS晶体管的增量参数 265

12.7 MOS晶体管增量电路模型 273

12.8 截止频率fT 275

12.9 具有类三极管特性的MOS晶体管 277

12.10 MOS晶体管的电压击穿 280

12.11 热电子效应 288

参考文献 289

第十三章 MOS功率晶体管的结构和设计思想 291

13.1 MOS晶体管用作功率放大器 291

13.2 MOS功率晶体管用作开关 293

13.3 MOS功率晶体管的结构 297

13.4 DMOS功率晶体管的设计思想 307

13.5 具有漂移区的MOS晶体管的栅电容 321

13.6 DMOS晶体管的电压击穿 322

13.7 DMOS晶体管的二次击穿 324

13.8 MOS晶体管特性的温度效应——安全工作区(SOA) 326

参考文献 330