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第1章 Ⅲ-Ⅴ氮化物半导体材料简介 1

1.1 GaN、AlN和InN的结构与性能 1

1.2 一维Ⅲ-Ⅴ氮化物半导体纳米材料研究现状 3

1.3 本章小结 7

参考文献 7

第2章 气相反应制备GaN纳米线的催化效应 15

2.1 引言 15

2.2 金属催化的化学气相沉积制备GaN纳米线 17

2.3 催化剂前驱体浓度与GaN纳米线生长的关系 24

2.4 以金膜作为催化剂前驱体生长GaN纳米线 27

2.5 本章小结 35

参考文献 36

第3章 GaN纳米带和纳米带环的生长与形成机理 40

3.1 引言 40

3.2 GaN纳米带与纳米带环结构的生长 41

3.3 纳米带的形成机理 51

3.4 纳米带环的形成机理 53

3.5 生长条件对最终产物形貌的影响 54

3.6 不同纳米结构所受内应力对比 57

3.7 本章小结 59

参考文献 60

第4章 碳热辅助法控制生长GaN低维结构 65

4.1 引言 65

4.2 利用碳热还原路线大量制备GaN纳米线 66

4.3 反应温度对纳米线生长取向的影响 73

4.4 碳含量对纳米线生长的影响 75

4.5 GaN微棱锥的生长与表征 78

4.6 反应条件对产物结构的影响 84

4.7 GaN棱锥的大量控制制备与表征 86

4.8 本章小结 102

参考文献 104

第5章 定向排列的孪晶GaN纳米线的制备与表征 110

5.1 引言 110

5.2 实验部分 111

5.3 结果与讨论 113

5.4 本章小结 120

参考文献 121

第6章 GaN纳米柱阵列的制备及表征 124

6.1 引言 124

6.2 实验部分 125

6.3 结果与讨论 126

6.4 本章小结 135

参考文献 135

第7章 Fe、Co掺杂GaN纳米线的制备及性能研究 139

7.1 引言 139

7.2 实验部分 140

7.3 Fe掺杂GaN纳米线的结果分析 142

7.4 Co掺杂GaN纳米线的结果分析 151

7.5 本章小结 158

参考文献 159

第8章 GaN及其稀磁半导体纳米晶的制备与性能研究 162

8.1 引言 162

8.2 实验部分 164

8.3 GaN纳米晶的结果分析 165

8.4 GaN:Mn纳米晶的结果分析 171

8.5 其他GaN:TM纳米晶的结果分析 178

8.6 本章小结 182

参考文献 183

第9章 GaN纳米晶体及其复合材料的制备及性能 186

9.1 溶胶凝胶方法制备GaN纳米晶 186

9.2 GaN量子点／PMMA复合材料的制备与光学性质 197

9.3 GaN量子点／二氧化硅干凝胶复合材料的制备及表征 207

9.4 本章小结 216

参考文献 217

第10章 GaN的理论模拟研究 227

10.1 立方GaN的结构、弹性常数及振动性能的模拟计算 227

10.2 六方GaN的电学、力学、光学性能的理论计算 236

10.3 Co掺杂的立方GaN的电、磁、光性能模拟 248

10.4 本章小结 253

参考文献 255

第11章 AlN纳米结构的可控制备与表征 268

11.1 引言 268

11.2 实验部分 269

11.3 结果与讨论 271

11.4 本章小结 279

参考文献 280

第12章 单晶InN纳米线的制备及表征 283

12.1 引言 283

12.2 实验部分 284

12.3 结果与讨论 286

12.4 本章小结 290

参考文献 290

第13章 InN及其稀磁半导体纳米晶的制备与性能研究 293

13.1 引言 293

13.2 实验部分 295

13.3 InN纳米晶的结果分析 298

13.4 InN:Mn纳米晶的结果分析 304

13.5 其他InN:TM纳米晶的结果分析 311

13.6 本章小结 316

参考文献 317

名词索引 320