图书介绍
半导体纳米线及其阵列可控生长和物性研究pdf电子书版本下载
- 周庆涛著 著
- 出版社： 合肥：合肥工业大学出版社
- ISBN：9787565004865
- 出版时间：2012
- 标注页数：120页
- 文件大小：10MB
- 文件页数：138页
- 主题词：半导体材料－纳米材料－研究
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图书目录
第1章 绪论 1
1. 1引言 1
1. 2纳米材料的内涵与性质 3
1. 2. 1纳米材料的概念 3
1.2.2纳米材料的特性 3
1. 3一维纳米材料的研究进展和发展趋势 8
1. 3. 1一维纳米材料的合成制备 8
1.3.2一维纳米材料制备的发展趋势 19
1.3.3一维纳米材料物性研究进展 22
1. 4本文选题背景与研究内容 25
第2章 氧化硅纳米线阵列的合成及其发光性能研究 34
2. 1引言 34
2. 2实验装置和制备方法 35
2. 3 SiO纳米线阵列的制备、表征及发光性能研究 36
2. 3. 1实验过程和测试 36
2.3.2实验结果与讨论 37
2. 4本章小结 43
第3章 三维球形CdS纳米锥阵列的合成及其结构和发光性能研究 46
3. 1引言 46
3. 2实验过程与表征 49
3. 2. 1三维球状CDS纳米锥阵列的制备过程 49
3.2.2三维球状CdS纳米锥阵列的表征与测试 49
3. 3实验结果与分析 49
3. 3. 1三维CdS纳米锥球形阵列的形貌 49
3. 3. 2三维CdS纳米锥球形阵列的结构与成分 51
3. 3. 3三维CdS纳米锥球形阵列的生长机制 55
3. 3. 4三维CdS纳米锥球形阵列的发光特性 57
3. 4本章小结 59
第4章 铜及其合金衬底上生长二元氮化物纳米线有序结构 65
4. 1引言 65
4.2铜和铜-铟合金衬底上生长GaN微米/纳米锥束 66
4.2.1引言 66
4. 2. 2实验过程与表征 66
4. 2. 3实验结果和分析 68
4. 3铜衬底上生长有序GaN纳米线 74
4. 3. 1实验过程 74
4.3.2实验结果与讨论 75
4. 4铜衬底上定位生长有序InN纳米棒阵列 76
4. 4. 1实验过程 76
4. 4. 2实验结果与分析 77
4. 5本章小结 78
第5章Ga催化生长三元合金Si-ZnS纳米线及其发光性质 82
5.1引言 82
5. 2实验过程和测试 83
5. 2. 1三元Si - ZnS纳米线的制备过程 83
5.2.2三元Si - ZnS纳米线的表征测试 84
5. 3实验结果与分析 84
5. 3. 1三元合金Si - ZnS纳米线的形貌 84
5. 3. 2三元合金Si-ZnS纳米线的结构与成分 85
5. 3. 3三元合金Si - ZnS纳米线的微观结构与成分 86
5. 3. 4三元合金Si-ZnS纳米线的生长机制 88
5.3.5三元合金Si-ZnS纳米线的发光性能 90
5. 4本章小结 91
第6章 芯-壳异质纳米线的制备、表征和生长机理研究 95
6. 1引言 95
6. 2 Cu-Si（）2芯-壳纳米线 96
6. 2. 1引言 96
6. 2. 2实验过程与测试 97
6.2.3实验结果与分析 98
6.2.4 Cu-Si（）2纳米电缆的生长机制 103
6. 3 ZnS-CuS芯-壳纳米线 104
6. 3. 1引言 104
6. 3. 2实验过程与测试 105
6. 3. 3实验结果与分析 105
6. 3. 4 ZnS-CuS芯-壳纳米线的生长机制 108
6. 4本章小结 109
第7章 总结与展望 114
7. 1本文主要研究内容 114
7. 2展望 116