图书介绍

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无机半导体物理
  • 武明堂,周晓华主编 著
  • 出版社: 西安:西安交通大学出版社
  • ISBN:7560506704
  • 出版时间:1995
  • 标注页数:198页
  • 文件大小:51MB
  • 文件页数:206页
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图书目录

第一章 半导体中的电子状态 1

1-1 能带的形成 1

1-2 电子、空穴的有效质量 5

1-3 半导体的能带结构 8

1-4 半导体中杂质与缺陷能级 12

主要参考文献 18

第二章 热平衡载流子 19

2-1 热平衡载流子 19

2-2 掺杂半导体的载流子浓度 23

2-3 费米能级与杂质浓度和温度的关系 27

2-4 简并半导体 28

2-5 迁移率与杂质浓度和温度的关系 30

2-6 电阻率 33

2-7 霍耳效应 35

主要参考文献 37

第三章 非平衡载流子 38

3-1 非平衡载流子及其寿命 38

3-2 非平衡载流子的复合机制 42

3-3 陷阱效应 49

3-4 非平衡载流子的运动 51

主要参考文献 57

第四章 半导体表面、界面及接触现象 58

4-1 半导体表面效应 58

4-2 p-n结 66

4-3 金属半导体接触 74

4-4 半导体异质结和超晶格 78

主要参考文献 86

第五章 金属氧化物半导体基础 88

5-1 金属氧化物的晶体结构和能带结构 88

5-2 金属氧化物晶体中的点缺陷 95

5-3 质量作用定律 100

5-4 平衡点缺陷浓度与氧分压的关系 101

5-5 平衡点缺陷浓度与温度的关系 111

5-6 非化学计算金属氧化物量 112

5-7 金属氧化物晶体中的输运现象 116

主要参考文献 120

第六章 典型金属氧化物及其物理效应 122

6-1 氧化锌半导瓷及其物理效应 122

6-2 BaTiO3半导瓷及PTC效应 129

6-3 SrTiO3半导瓷及电容—压敏效应 136

6-4 SnO2、TiO2氧化物及气敏特性 139

6-5 过渡金属氧化物及NTC效应 144

主要参考文献 148

第七章 化合物半导体 149

7-1 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 149

7-2 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体 155

7-3 Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体 164

主要参考文献 165

第八章 非晶态半导体 167

8-1 非晶态半导体的结构 167

8-2 非晶态半导体中的电子态 172

8-3 非晶态半导体的电性质 174

8-4 非晶态半导体的光学性质 180

8-5 非晶态半导体的应用 185

主要参考文献 186

各章习题与思考题 188

附表1 主要参数符号表 191

附表2 常用物理常数表 193

附表3 半导体材料物理性质表 194

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