数字集成电路 第4辑pdf电子书版本下载

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目录 1

一、生产试制总结 1

二次缺陷的形成、变化和消除 1

TTL集成电路的X-Y特性分析法 7

16×1随机存取存贮器 23

2-16进制同步可预置计数器 32

双极型可编只读存贮器 45

对通隔离 56

改进线路提高了合格率 58

提高集成电路成品率和可俈性的有效措施 66

如何保证四氯化硅的高质量 71

原水预处理的重要性及方法 74

双极型大规模集成电路的现状和展望 79

二、译文 86

门几何尺寸对集成注入逻辑（I2L）传？延迟的影响 86

负掩模关键尺寸的控制 93

译码器／多路调解器 95

半导体晶片的处理方法 106

硅片的软固定抛光方法 109

重显性优质二氧化硅薄膜形成法 114

大规模集成电路片子？洗处理 118

选择腐蚀法 123

SiN-SiO2膜内应力的减小 126

固体介质中分析针孔的金？淀积技术 127

用三溴化硼作预淀积 128

减少砱扩散中的过剩砱以消除缺陷 135

砷旋转涂布扩散源的扩散工艺 140

硅的固相砷扩散 146

高砱硅的热氧化 147

利用光刻膜部分的处理法 156

减少大规模集成器件中串联电阻的反应性离子蚀刻工艺 159

高氧Czochralski硅晶体生长与外延堆垛层错的关系 161

硅槽周围产生的位错 168

硅片背面的位错吸附 169

硅片正面的位错吸附 170

沾污离子的检测和定位 171

低成本大规模集成电路单芯片组件管壳 172

？洁处理金相的溶液 173

双极型大规模存储器 174

半导体集成电路装置 179

应用于集成电路的晶体管 183

可改善噪声容限的TTL电路 187

集成注入逻辑的改进 189

高密度、高性能的I2L单元 191

双极型大规模集成电路I2L 193