功率MOSFET与高压集成电路pdf电子书版本下载

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目录 1

第一章 绪论 1

§1-1功率半导体器件的发展概述 1

§1-2功率MOS器件的发展过程和发展方向 5

§1-3功率集成电路的发展动态 19

§1-4功率MOS器件的应用 22

参考文献 36

第二章 特殊制造技术 38

§2-1中子嬗变掺杂技术 38

§2-2硅片直接键合技术 46

§2-3载流子寿命控制技术 48

§2-4封装技术 59

参考文献 73

第三章 雪崩击穿与结终端技术 75

§3-1碰撞电离与雪崩击穿 75

§3-2平行平面结的击穿电压与临界电场 79

§3-3平面结击穿 86

§3-4场板及有关技术 93

§3-5场限环 102

§3-6斜表面与腐蚀轮廓 110

§3-7结终端扩展与变化横向掺杂 116

参考文献 120

§4-1引言 122

第四章 垂直导电MOS型功率器件 122

§4-2功率MOS的结构与I～V特性 135

§4-3功率MOS的重要参数 154

§4-4 IGT 183

§4-5 MCT及智能功率MOS 209

参考文献 222

第五章 横向高压、功率MOS型器件 225

§5-1横向双扩散MOS（LDMOS） 225

§5-2偏置栅MOS与高压双栅MOS 253

§5-3 RESURF 284

§5-4横向绝缘栅晶体管 295

参考文献 315

第六章 其它器件 317

§6-1静电感应晶体管 317

§6-2静电感应晶闸管 325

§6-3复合功率器件 331

参考文献 336

第七章 功率集成电路与高压集成电路 340

§7-1 PIC与HVIC实例 340

§7-2 隔离技术 351

§7-3 SMART功率集成技术 358

§7-4 DMOS/CMOS（或D/CMOS）集成技术 362

§7-5 BIMOS集成技术 366

参考文献 371