MOS晶体管的工作原理及建模pdf电子书版本下载

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目 录 1

序言 1

第1章半导体、接触和PN结 1

1.1引言 1

1.2半导体 1

1.3导体 5

14接触电势 12

1.5pn结 17

参考文献 22

习题 23

第2章二端MOS结构 25

2.1引言 25

2.2平带电压 25

2.3电势平衡和电荷平衡 29

2.4栅－衬底电压对表面状态的影响 30

2.5反型 34

2.6小信号电容 43

2.7关于中反型界限的精确定义 48

2.8各反型区特性的总结 50

参考文献 50

习题 51

第3章三端MOS结构 53

3.1引言 53

3.2与反型层接触 53

3.3体效应 60

3.4反型区 61

3.5关于中反型界限的精确定义 69

参考文献 70

习题 71

第4章四端MOS结构 73

4.1引言 73

4.2晶体管的工作区 75

4.3通用电荷薄层模型 76

4.4强反型 83

4.5中反型 95

4.6弱反型 96

4.7以VSB和VDB表示的工作区 100

4.8有效迁移率 101

4.9温度效应 105

4.10 击穿 107

4.11 p沟MOS晶体管 107

4.12增强型晶体管和耗尽型晶体管 108

4.13模型精度和参数提取 109

参考文献 113

习题 120

第5章短沟道和窄沟道效应 124

5.1引言 124

5.2沟道长度调制 124

5.3速度饱和 129

5.4势垒下降，二维电荷共享和阈值电压 133

5.5组合几种效应于一个模型之中 143

5.6穿通，击穿，寄生电流和有关效应 145

5.7源区的和漏区的串联电阻效应 146

5.8按比例缩小 147

参考文献 152

习题 163

第6章离子注入沟道MOS晶体管 165

6.1引言 165

6.2与衬底同型的注入 167

6.3与衬底反型的注入 175

参考文献 184

习题 188

第7章动态工作下的MOS晶体管——大信号建模 190

7.1引言 190

7.2准静态工作 190

7.3准静态工作时的端电流 193

7.4准静态工作下电荷的计算 198

7.5直流条件下的渡越时间 207

7.6准静态模型的局限性 208

7.7非准静态建模 211

参考文献 215

习题 217

第8章低频和中频的小信号建模 219

8.1引言 219

8.2本征部分的低频小信号模型 219

10.5小型化（按比例缩小）的考虑 225

8.3本征部分的中频小信号模型 233

8.4非本征部分的小信号建模 246

8.5噪声 249

参考文献 256

习题 266

第9章高频小信号模型 268

9.1引言 268

9.2完整的准静态模型 268

9.3 y参数模型 283

9.4非准静态模型 288

9.5模型的比较 302

9.6其他效应 303

参考文献 304

习题 307

第1 0章MOS晶体管制造工艺（麻省理工学院D.Antoniadis） 310

10.1引言 310

10.2 MOS晶体管制造工艺的基本工序 311

10.3增强／耗尽型NMOS工艺流程实例 315

10.4 CMOS工艺 322

10.6布图和制版 330

参考文献 332

A 能带及其相关的概念 335

附录 335

B 一维静电学基本定律 340

C pn结中的电荷密度，场强和电势 344

D 二端MOS结构的能带图 345

E 二端MOS结构中的电荷密度，场强和电势 347

F 二端MOS结构的一般分析 347

G 三端MOS结构的能带图 350

H 三端MOS结构的一般分析 352

I 用准费米势导出漏端电流 353

J 关于饱和区漏端电流和漏端小信号电导公式详细推导的—些结果 355

K 本征部分的瞬态源端电流和瞬态漏端电流的计算 356

L 精确强反型模型的电荷 358

M用于非准静态y参数模型推导中的—些量 360