图书介绍
半导体物理基础pdf电子书版本下载
- 郑福洁，吴士忠编 著
- 出版社： 南京：江苏科学技术出版社
- ISBN：15196·089
- 出版时间：1983
- 标注页数：284页
- 文件大小：15MB
- 文件页数：292页
- 主题词：
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图书目录
目录 1
上篇 1
第一章原子结构 1
§1-1原子的核型结构 1
§1-2氢原子光谱的规律性 2
§1-3玻尔的氢原子理论 6
§1-4椭圆轨道 12
§1-5空间量子化电子的自旋 16
§1-6原子的壳层结构 19
*§1-7伦琴射线的光谱 25
复习思考题 31
本章小结 31
第二章统计物理初步 33
§2-1几率论的一些基本知识 33
§2-2统计的规律性 38
§2-3玻耳兹曼统计分布 45
§2-4费米-狄拉克统计分布 48
本章小结 51
复习思考题 53
第三章量子力学初步 54
§3-1波和粒子 54
§3-2定态薛定谔方程 70
§3-3势垒的反射和透入 72
§3-4势垒贯穿——隧道效应 74
§3-5一维方势阱 76
§3-6粒子在方盒中的运动 80
§3-7氢原子问题 83
本章小结 88
复习思考题 89
第四章 晶体结构和能带论初步 91
§4-1晶体的结合和结构 91
§4-2电子的共有化运动和能带 111
§4-3导体、半导体和绝缘体的能带结构 114
§4-4晶体中电子的运动有效质量 116
*§4-5一维周期场 120
§4-6布里渊区 124
本章小结 128
复习思考题 128
下篇 130
第五章掺杂半导体 130
§5-1本征半导体的特性 130
§5-2半导体掺杂 135
§5-3n型半导体和p型半导体 137
§5-4掺杂半导体在室温上下的载流子浓度 141
§5-5掺杂半导体的本征情况 144
§5-6深能级杂质和缺陷能级 145
本章小结 147
复习思考题 148
§6-1导带电子与价带空穴统计分布的一般表达式 149
第六章半导体中载流子的统计分布 149
§6-2本征情况下的费米能级和载流子浓度 153
§6-3杂质半导体的费米能级和载流子浓度 155
§6-4简并半导体费米能级的位置和载流子浓度 159
§6-5费米能级的物理意义 163
本章小结 165
复习思考题 166
第七章半导体中载流子的迁移现象 167
§7-1金属自由电子论 167
§7-2半导体中载流子的运动方式 171
§7-3半导体的电导率和散射 172
§7-4电子和空穴的迁移率 177
§7-5电阻率同杂质浓度和材料温度的关系 180
§7-6半导体的霍耳效应 182
本章小结 185
复习思考题 186
第八章非平衡载流子 187
§8-1非平衡载流子及其产生 187
§8-2非平衡载流子的复合与寿命 188
§8-3准平衡态与准费米能级 198
§8-4非平衡载流子的运动 200
本章小结 207
复习思考题 208
§9-1 p-n结的形成及杂质分布 209
第九章p-n结 209
§9-2平衡p-n结 212
§9-3 p-n结的伏安特性 215
§9-4 p-n结的电容效应 224
§9-5 p-n结的击穿特性 229
§9-6金属与半导体的接触 235
本章小结 241
复习思考题 242
第十章半导体表面 245
§10-1表面空间电荷区 245
§10-2理想MIS电容器的C-V特性 248
§10-3硅－二氧化硅系统的性质 255
§10-4实际MIS电容器的C-V特性及应用 258
§10-5半导体场效应应用举例——MOS场效应晶体管 264
§10-6表面电导率及迁移率 265
本章小结 266
复习思考题 266
第十一章半导体的光磁热电性质 268
§11-1半导体的光学性质 268
§11-2半导体的热电性质 275
§11-3半导体磁电效应 278
本章小结 282
复习思考题 283
附录 283
一、常用的物理常数 283
二、锗、硅和砷化镓材料的物理性质 284