半导体超晶格 材料与应用pdf电子书版本下载

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第一章 概述 1

1.1.半导体超晶格 1

1.2.超晶格的布里渊区与亚带结构 4

1.3.超晶格异质界面带边的不连续性 6

1.4.第Ⅰ类组分超晶格 GaAs/AlxGa1-xAs 7

1.5.第Ⅱ类组分超晶格 GaxIn1-xAs/GaAsySb1-y 13

1.6.量子霍尔效应 17

第二章 外延生长技术 26

2.1.分子束外延(MBE) 30

2.2.气源分子束外延(GS—MBE) 53

2.3.MBE 的基本生长参数 57

2.4.金属有机物化学气相淀积(MOCVD) 63

2.5.低压金属有机物化学气相淀积(LP—MOCVD) 82

2.6.LPE、VPE、MOCVD 和 MBE 的动力学与热力学比较 101

2.7.化学束外延(CBE) 121

2.8.原子层外延(ALE) 132

2.9.热壁外延(HWE) 149

第三章 半导体超晶格的电子结构理论 165

3.1.经验方法 166

3.2.从头计算方法 176

3.3.边界条件方法的理论说明 178

3.4.边界条件方法对Ⅲ—Ⅴ 族半导体超晶格的应用 207

3.5.用不同理论方法得到结果的比较 248

3.6.包络函数近似 253

3.7.Recursion 方法 287

3.8.超薄层超晶格的电子结构 294

3.9.超晶格半导体中的杂质态理论 304

3.10.nipi 超晶格中杂质态的性质 315

3.11.量子阱与超晶格中的激子 327

第四章 各类超晶格及其性质 356

4.1.晶格匹配超晶格的晶格振动 356

4.2.在超晶格中垂直于层的电荷输运 373

4.3.在量子阱与超晶格中的光吸收与磁光吸收 391

4.4.掺杂超晶格——nipi 结构 402

4.5.应变层超晶格 430

4.6.ZnSe/ZnSxSe1-x 应变层超晶格的光学特性与带偏移 438

4.7.磁性半导体超晶格 454

4.8.非晶半导体超晶格 459

4.9.有关Ⅲ—Ⅴ 族半导体超晶格和量子阱结构的某些研究情况 469

第五章 半导体超晶格的应用 486

5.1.带隙工程 487

5.2.一种新的低噪声窄带宽量子阱红外探测器 497

5.3.用 MBE 生长的一种新的 GaAs/AlxGa?-xAs 超晶格晶体管 504

5.4.应变调制掺杂场效应晶体管(SMODFET) 509

5.5.有关量子阱光子学的应用 519

5.6.具有量子阱超晶格结构的高灵敏度的霍尔元件 528

5.7.高电子迁移率晶体管(HEMT) 532