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第一章 光电阴极的发展史 1

第一节 历史回顾 1

目录 1

第二节 半导体光电阴极 5

第三节 场助半导体光电阴极 10

第四节 TE原理的场助阴极 13

第一节 量子效率的理论分析与计算 19

1.1概述 19

第二章 场助红外半导体光电阴极的理论分析与计算 19

1.2量子效率的计算基础 20

1.3场助阴极量子效率的计算 22

1.4场助阴极量子效率的计算结果 27

1.5结果讨论 30

第二节 场助阴极暗电流的理论分析与计算 31

2.1概述 31

2.2暗电流源的分析 32

2.3理论计算 32

2.4计算结果 35

2.5讨论 37

第三节 场助阴极的能带计算 41

3.1引言 41

3.2InGaAsP/InP异质结界面处的电子传输 41

3.3InGaAsP异质结能带的计算模型 42

3.4InGaAsP/InP异质结能带的计算结果 44

3.5结果讨论 44

3.6结论 48

第一节 一般描述 49

第三章 场助红外半导体光电阴极的设计 49

第二节 场助红外半导体光电阴极的设计 50

2.1InP直接发射场助光电阴极 50

2.2InGaAsP/InP异质结TE阴极 52

2.3InP/InGaAsP/InP双异质结TE阴极 55

2.4GaAs(衬底)/InP(Ⅰ)/InP(Ⅱ)/ 56

InGaAsP/InPTE阴极 56

第三节 场助红外半导体光电阴极研究的整体方案 59

第一节 LPE生长系统 61

第四章 液相外延系统 61

第二节 真空系统 64

第三节 氢气纯化系统 65

第五章 场助红外半导体光电阴极的材料生长 67

第一节 引言 67

第二节 液相外延及InGaAsP的生长技术 72

2.1概述 72

2.2InGaAsP四元系相图 74

2.3生长溶液过冷度的确定 76

2.4掺杂量的确定 77

2.5晶格失配的调整 79

第三节 阴极材料的外延生长 81

3.1外延前的准备工作 81

3.2外延生长 83

第六章 场助阴极材料的测试结果 89

第一节 X射线双晶衍射的测试 89

第二节 扫描电镜的能谱测试 93

第三节 外延材料的解理面 95

第四节 外延层的掺杂浓度 99

第七章 场助阴极的欧姆接触及肖特基结 101

第一节 场助阴极的欧姆接触 101

1.1引言 101

1.2p型InP欧姆接触的金属系 102

1.3欧姆接触的蒸发系统及工艺条件 102

2.1引言 104

2.2肖特基结的蒸发系统 104

第二节 场助阴极的肖特基结 104

2.3场助阴极肖特基结的制备 106

2.4肖特基结的理想因子 108

2.5肖特基结的热退化 109

第八章 场助光电阴极的表面清洁及激活 111

第一节 引言 111

第二节 阴极材料的表面清洁 112

第三节 半导体光电阴极的激活 117

参考文献 129