高压硅半导体器件耐压与表面绝缘技术pdf电子书版本下载

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目录 1

编者的话 1

第一章 导言 1

一、研究高压硅半导体器件的耐压与表面绝缘技术的意义 1

二、影响硅半导体器件耐压及稳定性的主要因素 5

第二章 高压硅半导体器件的体内耐压 8

一、半导体P-N结的形成和基本特性 8

二、P-N结空间电荷区的电场分布 17

三、P-N结的击穿 31

四、高压硅整流管的结片结构与耐压设计 49

五、硅晶闸管的耐压设计 56

第三章 高压硅半导体器件的表面电场与表面耐压 79

一、P-N结的表面击穿与表面电场 79

二、整流管与晶闸管的表面造型 86

三、表面电场与表面空间电荷区的测量方法 94

四、表面电场分布的近似计算方法 98

五、表面耐压的温度特性 106

第四章 高压硅半导体器件的表面放电 111

一、气体击穿的基本实验规律 111

二、气体击穿机理——碰撞电离理论 116

三、高压硅半导体器件管壳内部气体放电的产生与改善措施 123

第五章 高压硅半导体器件的漏电流 128

一、P-N结反向漏电流理论 128

二、硅整流管反向漏电流的测试与分析 140

三、影响硅整流管表面漏电流因素的分析 149

四、硅晶闸管的漏电流 157

第六章 高压硅半导体器件的表面处理与表面保护 159

材料 159

一、硅半导体器件表面的腐蚀与清洗 159

二、表面保护的要求和几种保护方法 165

三、有机保护材料的结构、性能与使用工艺 177

四、保护材料对硅半导体器件电性能的影响 191

附录 漏电流中ID、Ig分量的分解 200

参考文献 202