半导体测量和仪器pdf电子书版本下载

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译者说明 1

1 晶体取向 1

序言 2

1.1 晶体学 3

1.2 晶体定向 10

2 晶体缺陷及其观察 24

2.1 点缺陷 24

2.2 位错 29

2.3 堆垛层错 44

2.4 孪晶 49

2.5 系属组织 51

2.6 晶粒与晶界 52

2.7 夹杂物 54

2.8 点阵应力与应变 56

2.9 表面机械损伤 62

2.10 外形缺陷 66

2.11 辆照损伤 66

3 电阻率及载流子浓度的测量 69

3.1 概说 70

3.2 基本方法 71

3.3 二探针法和四探针法的仪器 80

3.4 二探针和四探针测量的误差 85

3.5 扩展电阻 89

3.6 非接触测量电阻率的方法 91

3.7 载流子浓度 92

3.8 电阻率分布图 97

4.1 引言 104

4 寿命 104

4.2 光电导衰减 106

4.3 其它的注入方法 115

4.4 光电导调制 115

4.5 光电导 116

4.6 表面光电压 117

4.7 光电磁(PEM)效应 119

4.8 扩散长度的测量 120

4.9 漂移 123

4.10 其它方法 124

5 迁移率、霍尔效应和型号的测量 125

5.1 迁移率 125

5.2 霍尔效应 127

5.3 导电型号 141

6 厚度测量 146

6.1 引言 146

6.2 测微计和其它量具 149

6.3 吸收法 151

6.4 椭圆仪法 152

6.5 干涉效应 161

6.6 用干涉法和其它方法测量斜面 171

6.7 阶梯高度的测量 177

6.8 高倍显微镜用于可见边界 178

6.9 差重法 178

6.10 结晶学方法 179

6.11 测量金属膜的混杂方法 180

7 显微镜检验用试样的准备 181

7.1 截取 181

7.2 化学处理 192

7.3 轮廓显示 195

8 显微镜的使用和摄影术 216

8.1 基础光学 216

8.2 光学象的质量 221

8.3 专门的光学装置 230

8.4 摄影术 238

9 电子显微镜和其它分析仪器 246

9.1 电子显微镜的一般介绍 246

9.2 透射电子显微镜 247

9.3 扫描电子显微镜 251

9.4 电子衍射 256

9.5 X射线 259

9.6 电子能谱法 265

9.7 光学光谱法 269

9.8 质谱法 272

9.9 离子背散射 274

9.10 放射性方法 275

参考文献 278