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第一章 外延生长概述 4

1-1 什么是外延生长 4

1-2 外延生长的种类 4

1-3 外延生长的特点 8

1-4 器件对外延片的一般要求 10

参考文献 11

第二章 衬底的制备 12

2-1 单晶的定向 13

2-2 单晶的切割 18

2-3 单晶片的研磨 21

2-4 单晶片的倒角 29

2-5 单晶片的化学腐蚀 30

2-6 单晶片的抛光 31

2-7 单晶片的化学清洗 37

2-8 单晶片质量的检测 41

参考文献 46

第三章气相外延生长 47

3-1 气相外延生长的淀积反应 48

3-2 气相外延生长的热力学 57

3-3 气相外延生长的动力学 66

3-4 气相外延生长的成核和生长 87

3-5 气-液-固外延生长 92

参考文献 93

第四章 硅气相外延生长 95

4-1 氢还原SiCl4硅外延生长原理 97

4-2 氢还原SiCl4硅外延生长设备 101

4-3 氢还原SiCl4硅外延生长工艺 113

4-4 氢还原SiCl4硅外延生长参数控制 120

4-5 硅外延层质量的检测 162

4-6 硅外延层缺陷的分析 184

4-7 氢还原SiHCl3硅外延生长 195

4-8 硅烷热分解硅外延生长 196

4-9 二氯硅烷和混合源硅外延生长 201

参考文献 208

第五章 硅气相外延的发展 209

5-1 完美硅外延生长 209

5-2 选择硅外延生长 215

5-3 低压硅外延生长 218

5-4 低温硅外延生长 225

5-5 很低压硅外延生长 228

5-6 增强等离子体硅外延生长 231

参考文献 239

第六章 砷化镓气相外延生长 241

6-1 氯化物歧化法GaAs气相外延生长 242

6-2 GaAs外延层电学特性控制 256

6-4 Ga/HCl/AsCl3/H2体系GaAs外延生长 264

6-3 GaAs外延层的缺陷 264

6-5 GaAs的选择外延生长 265

6-6 GaP和InP气相外延生长 269

6-7 GaAs1-xPx气相外延生长 270

参考文献 276

第七章 金属有机化合物气相外延生长 278

7-1 MOVPE技术概要 278

7-2 MOVPE设备 280

7-3 MOVPE生长GaAs及其影响因素 283

5-7 离子团束硅外延生长 285

5-8 P-CVD硅外延生长 288

7-4 MOVPE生长GaAs的反应机理 289

7-5 MOVPE法生长Ga1-xAlxAs 291

7-6 GaxIn1-xAs1-yPy的MOVPE外延生长 294

7-7 MOVPE技术的现状 295

参考文献 298

第八章 液相外延生长 299

8-1 液相外延生长方法和装置 300

8-2 从二组分溶液液相外延生长原理 304

8-3 从二组分溶液中瞬态生长 311

8-4 从含有两个以上组分的溶液中的异质外延生长 317

8-5 平衡相图 327

8-6 液相外延层电性能和发光性能的控制 332

8-7 液相外延层表面形貌 341

8-8 液相外延生长的实例 343

参考文献 354

第九章 固相外延生长 356

9-1 无输运介质的固相外延生长 357

9-2 有输运介质的固相外延生长 363

9-3 固相外延生长小结 373

参考文献 374

第十章 分子束外延生长 375

10-1 分子束外延生长设备 377

10-2 分子束外延生长的源气化 379

10-3 分子束外延生长动力学 382

10-4 分子束外延生长GaAs 386

10-5 分子束外延生长其它化合物半导体 389

10-6 分子束外延生长硅 394

10-7 分子束外延在超晶格制备方面的应用 397

参考文献 398

11-1 电外延生长技术 400

第十一章 其它外延生长技术 400

11-2 热壁外延生长技术 420

11-3 化学束外延生长技术 427

11-4 利用离子的化合物半导体外延生长技术 433

11-5 利用光的化合物半导体外延生长技术 436

11-6 原子层、分子层外延生长技术 442

参考文献 451

第十二章 异质外延生长 454

12-1 GaAs/Si外延生长 454

12-2 SOS外延生长 462

12-3 SOI外延生长 468

参考文献 481