图书介绍

《半导体器件平面工艺》光刻pdf电子书版本下载

《半导体器件平面工艺》光刻
  • 上海无线电十七厂组织编写 著
  • 出版社: 上海:上海人民出版社
  • ISBN:15·4·194
  • 出版时间:1971
  • 标注页数:72页
  • 文件大小:4MB
  • 文件页数:78页
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图书目录

第一章 概述 1

1-1 光刻技术概况 1

目录 1

1-2 光刻工艺过程 3

第二章 光致抗蚀剂 6

2-1 光致抗蚀剂的性能 6

2-2 光致抗蚀剂的配制 9

2-3 光致抗蚀剂的种类 11

3-1 硅片表面清洁处理的目的 14

第三章 硅片表面清洁处理 14

3-2 硅片表面清洁处理的方法 15

第四章 涂敷感光胶 18

4-1 涂胶的方法和设备 18

4-2 改进涂胶效果的几种措施 22

第五章 抗蚀剂膜的干燥(前烘) 25

第六章 曝光 27

6-1 曝光工艺过程 27

6-2 光致抗蚀剂的分辨率 29

6-3 影响分辨率的几种因素 30

第七章 显影 35

7-1 显影的要求 35

7-2 显影对光刻质量的影响 36

第八章 抗蚀剂膜的坚固(坚膜) 39

第九章 腐蚀 40

9-1 腐蚀的作用 40

9-2 腐蚀液的选择 41

9-3 二氧化硅的腐蚀 44

9-4 硅的腐蚀 50

9-5 铝等金属的腐蚀 51

第十章 抗蚀剂膜的去除(去胶) 54

第十一章 光刻中常见的弊病及防止改进的措施 55

第十二章 光刻技术的发展动态 63

12-1 大面积光刻 63

12-2 明室操作 65

12-3 投影光刻 65

12-4 电子束光刻和离子束掺杂 68

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