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第一章 半导体材料导电型号、电阻率、少数载流子寿命的测量 1

第一节 导电型号的测量 1

第二节 电阻率的测量 7

第三节 非平衡少数载流子寿命的测量 29

第二章 化学腐蚀一光学方法检测晶体缺陷和晶向 51

第一节 半导体晶体的电化学腐蚀机理及常用腐蚀剂 51

第二节 半导体晶体中的缺陷 62

第三节 硅单晶中生长缺陷的检测 76

第四节 硅半导体器件制作过程中二次导生缺陷的检测 85

第五节 硅单晶中漩涡缺陷的检测 91

第六节 砷化镓及其它Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶中的缺陷检测 99

第七节 晶体生长的固液界面的显示 103

第八节 硅单晶的光点定向、定向切割与划片参考面的标定 106

第九节 半导体测试技术中常用光学显微镜 120

第三章 霍尔系数、迁移率和杂质补偿度的测量 133

第一节 霍尔系数和迁移率的测量 133

第二节 霍化效应和磁阻法测量硅中杂质补偿度 148

第三节 砷化镓中总杂质浓度的测定 165

第四节 晶棒重熔法测定硅的补偿度 170

第五节 霍尔因子和磁阻系数统计理论 179

第四章 外延片的物理测试 184

第一节 层错法检测外延层厚度 184

第二节 红外干涉法测外延层厚度 189

第三节 硅外延层缺陷检测和质量分析 195

第四节 外延片夹层的测试 199

第五节 三探针电压击穿法测外延层电阻率 200

第六节 电容--电压法测硅外延层纵向杂质分布 206

第七节 二次谐波法测外延层杂质浓度 214

第五章 红外吸收光谱在半导体测试技术中的应用 221

第一节 半导体红外吸收光谱基本原理 221

第二节 红外吸收法测定硅单晶中氧、碳含量 240

第三节 利用等离子共振极小点测定半导体多数载流子浓度 252

第四节 红外傅里叶变换光谱分析及其应用 261

第一节 扫描电子显微镜结构和工作原理 279

第六章 扫描电子显微镜及其在半导体测试技术中的应用 279

第二节 操作模式和工作条件 285

第三节 成像衬度机制 289

第四节 在半导体测试技术中的应用 291

第五节 电子束通道效应 296

第七章 透射电子显微镜晶体缺陷分析 300

第一节 电子衍射和成像基本理论 300

第二节 堆垛层错的电子显微像 319

第三节 位错的电子显微像 330

第四节 晶体中沉淀相的电子显微像 341

第五节 成像参数的测定 347

第八章 X射线在半导体测试技术中的应用 353

第一节 X射线的性质及其产生 353

第二节 X射线在晶体中的衍射现象 356

第三节 X射线衍射法测定半导体单晶的取向 361

第四节 X射线衍射动力学理论概述 365

第五节 晶体缺陷的X射线显微像衬度 381

第六节 主要摄像法和影响分辨本领的因素 388

第七节 X射线显微术的应用 399

第九章 结电容和C-V测试技术 405

第一节 MOS结构及其C-V特性 405

第二节 C-V法测量半导体特性 418

第三节 测定绝缘薄膜性质 429

第四节 测定界面态密度 434

第五节 热激电容法测定深能级杂质的浓度和发射参数 436

第六节 椭圆偏振法测定薄膜厚度 444

第十章 半导体中痕量杂质分析 448

第一节 固体质谱分析 449

第二节 俄歇电子能谱分析 461

第三节 离子探针及其在半导体测试技术中的应用 475

第四节 高纯硅的活化分析 485

第五节 利用硅单晶的热处理效应测定氧含量 491

附录 498

一、半导体的主要物理常数 498

二、单位换算表 498

三、重要半导体的物理性质 499