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目录 1

第一章晶体管的制法及其类型 1

1.1晶体管与电子管比较 1

1.2晶体管发展史（略） 2

1.3晶体管的基本结构 2

1.4半导体晶体的生长 3

1.5制造结的基本方法 5

1.6晶体管的制作方法 6

1.7生长结法 7

1.8双面杂质接触法 9

1.9单面杂质接触法 11

1.10外延平面法 13

1.11晶体管工艺学的范围 14

第二章原子结构及能带理论 15

2.1引 论 15

2.2量子假设 15

2.3行星状的原子 16

2.4氢光谱 17

2.5波耳原子 17

2.6量子波动力学 18

2.7量子态 19

2.8能带理论 21

问 题 23

2.9晶体中的能带 23

第三章半导体 24

3.1能带理论的应用 24

3.2固体的电导性质 24

3.3半导体晶体 25

3.4空穴电导 26

3.5费米－狄拉克分布函数 27

3.6载流子的平衡浓度 28

3.7本征电导 30

3.8半导体的杂质电导 31

3.9杂质原子的电离能 32

3.10电荷中性 33

3.12杂质半导体中的费米能级 34

3.11半导体命名法 34

3.13少数载流子密度 37

问 题 38

第四章半导体晶体的性质 39

4.1引 论 39

4.2载流子的漂移运动 39

4.3漂移迁移率 40

4.4半导体中的电流 46

4.5电阻率 47

4.6少数载流子密度 49

4.7载流子的扩散运动 49

4.8寿 命 51

4.9复合中心 52

4.10半导体表面 55

附 录 57

问 题 58

第五章p-n结理论 60

5.1引 论 60

5.2能级的电位表示 60

5.3平衡时的p-n结 61

5.4有外加电压时的p-n结 62

5.5载流子电流及注入电平 64

5.6连续性方程及扩散方程 66

5.7直流电压——电流分析 67

5.8突变结电容 72

5.9缓变结电容 75

问 题 85

第六章p-n结的特性 86

6.1引 论 86

6.2反向电流特性 86

6.3反向电流和温度的关系 88

6.4耗尽層电荷产生 89

6.5反向电压雪崩击穿 90

6.6缓变结中的雪崩击穿 93

6.7正向电流特性 95

6.8正向大电流效应 97

6.9 p-n结中的少数载流子储存 100

6.10大量生产的结型整流器 101

问 题 102

第七章晶体管绪论 103

7.1引 论 103

7.2理想放大器 103

7.3由p-n结综合成的放大器 104

7.4 p-n-p结型晶体管 105

7.5电流增益理论 106

7.6共基极晶体管特性 108

7.7共发射极晶体管特性 110

7.8高频特性 112

7.9交流等效电路 113

7.10最佳晶体管参量设计 114

问 题 116

第八章结型晶体管理论 118

8.1一维模论 118

8.2 p-n-p能位图 118

8.3假设及边界条件 119

8.4发射极及收集极电流 120

8.5均匀基区的电流增益理论 123

8.6均匀基区的截止频率 127

8.7缓变基区的电流增益理论 129

8.8缓变基区的截止频率 133

8.9发射结及收集结电容 134

问 题 135

8.10各种晶体管工艺所产生的杂质剖面图 135

第九章结型晶体管特性 136

9.1晶体管直流参数 136

9.2共发射极电流增益β 136

9.3收集极反向电流 138

9.4收集极击穿电压 141

9.5发射极反向特性 143

9.6基区电阻 144

9.7缓变基区的薄層电阻 148

9.8基极输入及收集极饱和电压 150

问 题 153

9.9参量的温度关系 153

第十章晶体管大电流特性 154

10.1大电平注入理论 154

10.2表面复合随电流的变化 157

10.3体复合随电流的变化 158

10.4发射效率随电流的变化 159

10.5电流增益的合成变化 161

10.6基区电导调制 163

10.7基区的电流集边现象 164

10.8电流对基区截止频率的影响 165

问 题 166

11.1晶体管频率分析引论 167

11.2基区宽变效应 167

第十一章低频囘授效应 167

11.3收集极输出电导 168

11.4发射极输入电阻 170

11.5基区囘授电阻 171

11.6收集极扩散电容 172

11.7低频等效电路 173

问 题 174

第十二章低频h参量 175

12.1晶体管的小信号参量 175

12.2共基极h参量 176

12.3对等效电路的应用 177

12.4输入阻抗h？b 177

12.5反向——电压囘授hrb 178

12.6正向电流傅输hrb 179

12.7输出导纳hob 179

12.8随发射极电流的变化 179

12.9随收集极电压的变化 182

12.10随温度的变化 182

12.11共发射极h参量 183

问 题 184

第十三章高频h参量 186

13.1引 论 186

13.2少数载流子电流的普遍解 186

13.3基区变宽效应的引进 189

13.4导纳方程 192

13.5变换到h参量 195

13.6与基区截止频率及基区电阻的关系 196

13.7 hrb的频率变化 197

13.8 hlb的频率变化 200

13.9 hrb的频率变化 201

13.10 hob的频率变化 202

13.11高频等效电路 204

问 题 205

第十四章晶体管的频率响应 206

14.1共基极电流增益的频率变化 206

14.2发射极延迟时间常数 206

14.3基区渡越时间 207

14.5收集极延迟时间常数 208

14.4收集结耗尽層渡越时间 208

14.6a截止频率fab 209

14.7共发射极电流增益的频率变化 210

14.8 β截止频率fae及电流增益带宽频率 210

14.9 fT随电压及电流的变化 211

14.10最佳fT的设计理论 213

问 题 213

第十五章结型晶体管放大器 214

15.1引 论 214

15.2一般四端网络的功率增益 214

15.3低频放大器功率增益 215

15.4最大有用功率增益 218

15.5高频共发射极h参量 221

15.6高频放大器功率增益 223

15.7最高振荡频率 224

15.8功率增益随电压及电流的变化 224

15.9最佳功率增益——带宽的设计理论 225

问 题 228

第十六章结型晶体管开关 229

16.1开关晶体管引论 229

16.2开关过程的定性描述 230

16.3基区储存电荷晶体管分析 232

16.4延迟时间 235

16.5上升时间 236

16.6储存时间 238

16.7下降时间 242

16.8开关晶体管的电荷参量 242

问 题 244

第十七章晶体管的设计原理 245

17.1制造过程对晶体管设计的限制 245

17.2生长结晶体管 245

17.3合金晶体管 247

17.4扩散基区合金晶体管 248

17.5台型及平面型晶体管 249

17.6外延晶体管 250

17.7半导体集成电路引论 252