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引论 1

第一章 半导体中的结构缺陷和杂质 3

1．引言 3

2．真实晶体 4

3．温度对于热缺陷浓度的影响 6

4．晶体中的辐照缺陷 9

5．晶体中缺陷的形成和化学键强度 12

6．半导体中的杂质 17

7．杂质能极 18

8．杂质半导体中电子按量子态的分布 21

9．补偿杂质 23

10．绝缘晶体和半导体中的色中心 26

11．位错 29

12．半导体中的化学键 32

参考文献 34

第二章 固体中自扩散和杂质扩散过程动力学 36

1．关于固体中扩散过程动力学的基本概念 36

2．扩散和绝对反应速度理论 39

3．填隙式固溶体中的扩散 44

4．金属和其它元素晶体中的自扩散 48

5．替代式固溶体中的扩散 54

6．杂质（第三组元）对于金属和合金中扩散速度的影响 54

7．多元系统中扩散的热力学描述 56

8．基尔肯多耳效应 59

9．反应扩散 63

10．在金属氧化时的扩散和半导体膜的形成机制 65

参考文献 67

第三章 半导体和离子晶体中扩散理论的一些问题 69

1．在半导体中扩散时杂质离子的相互作用和复合体的形成 69

2．半导体中空位扩散机制情况下的库伦相互作用．半导体中的扩散系数和化学势能级 73

3．极性晶体中的自扩散和离子导电性 76

4．极性晶体中复合体的形成和杂质扩散 79

5．爱因斯坦关系．观察到的偏离的起因 83

6．锗和硅中某些杂质反常的扩散速度问题（扩散与溶解度的相互关系） 86

参考文献 88

第四章 扩散过程的数学基础 89

1．引言 89

2．在无限物体情况下扩散方程的通解 90

3．无限物体扩散方程解的特殊情况 92

4．半无限物体扩散方程的解 96

5．具有束缚边界的有限大小物体扩散方程的解 103

6．外力场中的扩散或受迫扩散 109

7．扩散系数的浓度依赖关系 121

参考文献 126

第五章 研究半导体中扩散的方法 127

1．引言 127

2．取层法 128

3．吸收法 132

4．纵切面法 141

5．电子-空穴结法 143

6．光生电动势法 151

7．电导法 153

8．电容法 156

9．扩散参量的确定 158

参考文献 159

第六章 锗中的扩散 160

1．杂质在锗中的扩散和电学活泼性 160

2．锗中的热变换和扩散过程 165

3．铜在锗中的扩散 166

4．恒定电场对于铜在锗中扩散的影响 170

5．锗中结构缺陷对于铜的扩散和受主性质的影响 171

6．铜在锗中的扩散机制 175

7．银、金、镍和铁在锗中的扩散 177

8．锂在锗中的扩散 179

9．杂质对于锗中扩散的影响 182

10．锗中的自扩散 188

11．杂质对于锗自扩散的影响 190

12．杂质自锗蒸发 192

13．气体在锗中的渗透、溶解和扩散 197

参考文献 200

第七章 硅中的扩散 202

1．施主杂质和受主杂质在硅中的扩散 202

2．铜在硅中的扩散 208

3．锂离子在硅中的扩散和迁移率 210

4．硅中的快扩散受主 211

5．恒定电场对于金和银在硅中扩散的影响 214

6．锗和硅中杂质扩散机制的某些差异 217

7．气体在硅中的渗透、溶解和扩散 220

参考文献 224

第八章 元素半导体中的扩散 226

1．引言 226

2．硫、硒和碲的结构特点 226

3．硫中的自扩散 230

4．硒中的自扩散 231

5．汞在硒中的扩散 234

6．某些杂质在硒中的扩散 237

7．碲中的扩散 241

8．磷中的自扩散 242

9．石墨中的自扩散 243

参考文献 247

第九章 氧化物中的扩散 249

1．氧化物半导体 249

2．氧化亚铜中的扩散 252

3．氧化锌中锌的自扩散 255

4．铁族氧化物中的自扩散 258

5．在其它氧化物中的扩散 261

6．固态反应时阳离子的自扩散和尖晶石的形成机制 264

参考文献 271

第十章 在半导体化合物中的扩散 273

1．半导体化合物 273

2．硫化铅中的自扩散和杂质扩散 274

3．碲化铅和硒化铅中的自扩散和杂质扩散 282

4．锑和锡在Bi2Se3,Bi2Te3和HgSe中的扩散．ZnS中的自扩散 286

5．反应扩散时金属上半导体层的产生 291

6．金属间化合物中的扩散 292

参考文献 301

第十一章 杂质在半导体中的溶解度 303

1．引言 303

2．固溶体形成的基本规律 303

3．半导体中的“稀释”固溶体．同弱电解液的类似性 306

4．半导体中杂质溶解的电解模型（雷斯理论基础） 307

5．施主杂质和受主杂质对于它们在半导体中溶解度的相互影响 312

6．溶解度和复合体形成．电离杂质之间库伦相互作用的考虑 314

7．分凝系数．分凝系数对于温度的依赖关系 315

8．杂质在锗中的溶解度和分凝系数 318

9．杂质在硅中的溶解度和分凝系数 326

10．杂质在锗和硅中的退缩溶解度 332

11．施主-受主相互作用对于杂质在锗中和硅中溶解度的影响（实验数据） 334

12．杂质在二元半导体化合物中的溶解度 337

13．具有无限溶解度的半导体系统 339

14．定向结晶时的杂质分凝和物质提纯 342

15．固溶体分解理论基础 343

16．锂在锗中固溶体分解的动力学 347

17．铜和镍在锗中和硅中固溶体的分解 352

参考文献 354