半导体器件的核辐射加固pdf电子书版本下载

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目录 1

辐射对半导体材料和器件性能的影响 1

功率晶体管的中子加固保证 35

超加固双极型晶体管的设计 51

双极型晶体管的中子加固保证筛选法 73

电离辐射引起的hFE退化与发射区周长的关系 86

TTL集成电路的中子加固保证技术 91

高速ECL微电路的辐射加固 105

双极型集成注入逻辑电路的辐射效应 118

集成电压调整器的辐射效应及其加固的分析 132

应用于加固系统的运算放大器 148

CMOS加固技术 170

硅表面缺陷对MOS辐射敏感度的影响 186

辐射加固的CMOS/SOS 202

辐射加固的CMOS集成电路的工艺技术 211

在静态MOS存贮单元中宇宙射线诱发的软错误 227

关于几种商用NMOS微处理机的电离辐射效应 242

电离辐射总剂量对1802微处理机的影向 250

LSI/VLSI制备工艺的辐射加固 263

电离辐射对电荷耦合器件结构的影响 271

电荷耦合器件的辐射效应 290

辐射加固的p表面沟道电荷耦合器件 305

砷化镓金属半导体场效应晶体管的辐射效应 316

辐射环境下GaAs MESFET的退化 332

三元系化合物红外探测器的辐射试验 342

氯化氢吸收、掺铬和铝注入对加固二氧化硅的影响 361

三氧化二铝栅绝缘层中的电荷注入和俘获 372

92k位磁泡存贮器系统的窄脉冲瞬态辐射效应 389