图书介绍

半导体数字集成电路pdf电子书版本下载

半导体数字集成电路
  • 沈铎编 著
  • 出版社: 北京:国防工业出版社
  • ISBN:15034·2003
  • 出版时间:1980
  • 标注页数:214页
  • 文件大小:10MB
  • 文件页数:220页
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图书目录

第一章 计数制和逻辑函数 1

§1-1 各种进位制的计数方法及相互转换 1

一、二进制计数法 1

二、十进制和二进制的互相转化 1

目录 1

三、其它进位制的表示法 3

§1-2 逻辑代数 3

一、“与”、“或”、“非”运算规则 3

二、逻辑代数的基本定理 5

二、最小项表达式 7

§1-3 真值表、最小项表达式和卡诺图 7

一、真值表 7

三、卡诺图 8

四、逻辑符号 10

第二章 双极型集成电路基础 12

§2-1 双极型集成电路的常规工艺流程及其基本结构 12

一、工艺流程 12

二、集成电路的特点 14

§2-2 二极管-晶体管逻辑电路 15

一、DTL“与非”门的基本原理 15

二、DTL的电压传输特性 18

三、门电路的参数 19

四、改进的DTL 25

五、DTL驱动器 27

六、高阈值逻辑电路(HTL) 30

§2-3 晶体管-晶体管逻辑电路 31

一、TTL的工作原理 31

二、典型的TTL“与非”门 33

三、TTL的改进形式 44

四、TTL逻辑功能的扩展 49

一、某些工艺参数的选定 56

§2-4 版图设计 56

二、元件的图形设计 57

三、版图实例 74

§2-5 发射极耦合逻辑门 78

一、ECL的基本电路 78

二、ECL的输出级及定偏电源电路 80

三、ECL的电压传输特性及其它基本性能 81

第三章 MOS集成电路 84

§3-1 MOS晶体管 84

一、MOS晶体管的一般介绍 84

二、对MOS器件阈值电压VT的分析 86

三、MOS晶体管的特性曲线 91

四、MOS晶体管的跨导(gm)和通导电阻(Rom) 95

五、MOS晶体管的源-漏击穿电压、栅击穿电压和栅保护 97

六、MOS晶体管的衬底偏压效应 99

§3-2 MOS集成电路中的基本单元电路 101

一、MOS集成电路中的倒相器 101

二、MOS集成电路中的基本门电路 118

§3-3 MOS集成电路的工艺概况 123

一、铝栅p-MOS工艺 123

二、n-MOS硅栅工艺 126

三、C-MOS工艺和C2L器件 127

一、触发器的逻辑结构和功能 131

第四章 触发器及其它功能器件 131

§4-1 触发器 131

二、MOS触发器电路 145

三、双极型TTL触发器 149

§4-2 其它功能器件 154

一、全加器 154

二、寄存器和移位寄存器 155

三、计数器和数码显示 157

四、译码器和数据选通器 161

第五章 大规模集成电路 165

§5-1 动态MOS基本电路 166

一、动态有比电路 167

二、动态无比电路 169

§5-2 MOS移位寄存器 171

一、移位寄存器的基本单元 171

二、移位寄存器的应用 176

§5-3 随机存取存贮器(RAM) 178

一、存贮单元 179

二、RAM的结构 182

§5-4 只读存贮器(ROM) 189

一、二极管(ROM) 189

二、MOS只读存贮器(MOS ROM) 190

三、双极型ROM 191

四、可编程序只读存贮器(PROM) 192

五、只读存贮器的应用 193

§5-5 集成注入逻辑(I2L) 202

一、I2L的基本结构和工作原理 202

二、I2L的基本逻辑电路 204

§5-6 电荷耦合器件(CCD) 207

一、CCD的基本工作原理 207

二、CCD的基本参数以及结构上的改进 210

三、CCD存贮器 212

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