超大规模集成电路电子学pdf电子书版本下载

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第一章　绪论 1

目录 1

第二章　VLSI电子学物理效应与数理方程 7

2-1　半导体中的基本数理方程 7

2-2　空间电荷效应 9

2-3　热载流子效应 19

2-4　小尺寸量子效应 24

2-5　弹道效应 33

2-6　约瑟夫逊效应 39

参考文献 47

第三章　VLSI器件基本方程的数值解 49

3-1　半导体器件基本方程的数值解 49

3-2　GaAs FET′s的有限元二维数值分析 75

参考文献 88

4-1　载流子的迁移率 89

第四章　VLSI电子学基本参数和特性 89

4-2　载流子的注入和复合 102

4-3　半导体的热传导 110

4-4　超导能隙 112

4-5　超导体的穿透深度和相干长度 114

参考文献 120

第五章　VLSI电子学材料 123

5-1　材料对器件和电路性能的影响 123

5-2　合金半导体的概念 125

5-3　合金半导体的原子排列 127

5-4　合金半导体的晶格振动 129

5-5　合金半导体的能隙与迁移率 133

5-6　异质结 135

5-7　超晶格材料 138

5-8　超导材料 143

5-9　高温超导材料特性 145

5-10　高温超导薄膜 149

参考文献 149

第六章　GaAs VLSI电子学 151

6-1　GaAs VLSI器件结构 153

6-2 GaAs器件原理和电路模型 160

6-3 GaAs VLSI基本电路 168

参考文献 178

第七章 HEMT VLSI电子学 179

7-1 HEMT VLSI器件结构 180

7-2 HEMT物理模型和电路模型 189

7-3 HEMT大规模集成电路 207

参考文献 209

8-1 超导VLSI器件结构 211

第八章 超导VLSI电子学 211

8-2 两端超导器件物理模型 222

8-3 两端超导器件电路模型 238

8-4 超导量子干涉器（SQUID）工作原理与电路模 245

型 245

8-5 超导结型晶体管工作原理 249

8-6 超导结型晶体管电路模型 258

8-7 超导场效应晶体管物理模型和工作原理 262

8-8 超导超大规模集成电路 270

参考文献 277

第九章 VLSI电子学基本极限 278

9-1 VLSI物理极限 280

9-2 VLSI的工艺极限 306

9-3 VLSI电路复杂性极限 321

9-4 VLSI经济极限 325

参考文献 326