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目录 1

第一章　MOS场效应晶体管和有关器件的工作原理 1

1.1　引言 1

1.2　简单的工作原理分析 5

1.3 衬底中有杂质离子形成的空间电荷时的分析 9

1.4　夹断以后的工作 15

1.5　界面处载流子迁移率与栅电压的关系 20

1.6　界面处载流子迁移率与漏电压的关系 25

1.7　阈值附近的特性 26

1 8　界面俘获中心对静态特性的影响 27

1.9　噪声生成机制 32

1.10　电荷耦合器件 37

1.10.1　MOS二极管的过渡响应 38

1.10.2　电荷耦合器件工作原理的简单说明 40

1.10.3　电荷传输现象的分析 42

第二章　MOS场效应晶体管电路 49

2.1　高频电路 49

2.1.1　高频MOS场效应晶体管 49

2.1.2　MOS场效应晶体管高频参数的测量 62

2.1.3　高频增益与稳定性函数 68

2.1.4　带通放大器的设计 71

2.1.5　高频（RF）放大电路 84

2.1.6　中频（IF）放大电路 91

2.1.7　应用举例 96

2.1.8　高频振荡电路 99

2.1.9　变频（混频）电路 104

2.1.10　宽频带放大器 109

2.2　直流放大电路 116

2.2.1　直流和低频放大电路概述 116

2.2.2　直流偏置电路和工作点的关系 119

2.2.3　弱电流放大电路 128

2.2.4　弱电压放大电路 134

2.2.5　调制型直流放大电路概述 148

2.2.6　MOS晶体管斩波器的恒压性漂移 152

2.2.7　MOS晶体管的恒流性偏移 155

2.2.8　MOS晶体管斩波器直流放大电路举例 161

第三章　MOS集成电路的应用 170

3.1　用MOS集成电路设计的机器 170

3.1.1 系统设计举例 170

3.1.2 从逻辑设计来看的MOS集成电路功能 175

3.1.3　从电路设计来看的MOS集成电路功能 178

3.1.4 用MOS集成电路构成的系统举例 183

3.1.5 中规模集成电路设计 185

3.1.6 大规模集成电路设计 189

3.1.7　展望 193

3.2　MOS集成电路设计的基本知识 193

3.2.1　集成电路中的MOS结构举例 194

3.2.2　MOS晶体管特性的基本表达式 196

3.2.3　MOS集成电路的功能 199

3.2.4　MOS集成电路设计要点 204

3.2.5　大规模集成化问题 206

3.2.6　基本电路举例 207

3.3　逻辑电路 209

3.3.1　倒相器电路 209

3.3.2 门电路 211

3.3.3　触发器电路 213

3.3.4　计数器电路 219

3.3.5　多相时钟电路中的逻辑电路 222

3.3.6　C-MOS（互补MOS）逻辑电路 226

3.4　存储电路 229

3.4.1　移位寄存器的种类 229

3.4.2　移位寄存器的功能和应用 238

3.4.3　存储器的种类 239

3.4.4　存储器阵列 245

3.5　控制和显示电路 248

3.5.1　定时脉冲发生电路 248

3.5.2　控制电路 258

3.5.3 显示电路 262

3.6　其它电路 268

3.6.1 模拟开关 268

3.6.2　数字微分分析器 268

3.6.3 模拟电路 272

3.7　大规模集成电路的结构举例 275

3.7.1　按用户需要设计的大规模集成电路 278

3.7.2　采用多层布线的移位寄存器 286

3.7.3　大规模集成电路标准设计 289

3.7.4　微处理机使用的大规模集成电路 298

3.8 MOS晶体管和MOS集成电路的检测及可靠性 302

3.8.1 MOS晶体管的检测 302

3.8.2　MOS集成电路的检测 307

3.8.3　MOS集成电路的可靠性 315

3.8.4　MOS集成电路的使用方法 328